El SoC Kirin 9020 de Huawei demuestra lo mucho que ha avanzado China con los chips. Y también lo mucho que le queda por hacer
Publicado el 12/06/2025 por Diario Tecnología Artículo original
Huawei y SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp) van de la mano en su aventura para sostener la industria de los semiconductores de China. Las sanciones que ha desplegado el Gobierno de EEUU durante los últimos dos años y medio persiguen frenar el desarrollo de las empresas chinas que se dedican al diseño y la fabricación de circuitos integrados. La industria de los semiconductores del país liderado por Xi Jinping aglutina cientos de compañías, pero estas dos son su punta de lanza.
Y lo son debido a que presumiblemente son las que tienen más recursos a su disposición para innovar. Y lo están haciendo. De hecho, SMIC actualmente tiene la capacidad de fabricar circuitos integrados de 6 y 7 nm. Además, está a punto de iniciar la producción de chips de 5 nm y planea poner en marcha sus primeros nodos de 3 nm equipados con transistores de tipo GAA (Gate-All-Around) en 2026. No está pero que nada mal si tenemos presente que los fabricantes chinos de chips no tienen acceso a los equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML, que son los idóneos para producir estos semiconductores.
El SoC Kirin 9020 es un éxito a medias
El lanzamiento de la nueva familia de smartphones Pura 80 de Huawei nos invita a echar un vistazo a su SoC para identificar qué nos propone y qué tecnología de integración está implicada en su fabricación. Este chip ha sido producido por SMIC en su nodo de 7 nm y clase N+2. Esta terminología nos indica que se trata de un proceso litográfico de 7 nm y segunda generación, por lo que no es la misma tecnología de integración empleada por SMIC para fabricar el SoC Kirin 9000S integrado en el smartphone Mate 60 Pro de Huawei.
SMIC ya tiene la capacidad de fabricar circuitos integrados de 6 nm. Y pronto también podrá producir chips de 5 nm
Todavía no hemos tenido la oportunidad de probar alguno de los smartphones de la familia Pura 80 equipados con este SoC, pero es razonable prever que entregará a los usuarios una experiencia satisfactoria. Aun así, es evidente que su relación rendimiento por vatio no será equiparable a la de los SoC que fabrica TSMC en sus nodos de 3 y 5 nm. Como he mencionado unas líneas más arriba, SMIC ya tiene la capacidad de fabricar circuitos integrados de 6 nm, y pronto también podrá producir semiconductores de 5 nm, pero está limitada por las prestaciones de los equipos de litografía de ultravioleta profundo (UVP) que tiene en su poder.
Es meritorio que los ingenieros de SMIC y Huawei hayan conseguido refinar sus procesos de fabricación de circuitos integrados lo necesario para poder producir chips de 5, 6 y 7 nm con los equipos UVP de ASML, pero a priori es muy poco probable que con estas máquinas vayan a poder ir más allá de los 3 nm. Y lo es debido a que la técnica de multiple patterning, que es la que están utilizando, impone limitaciones importantes. Un apunte: esta estrategia a grandes rasgos consiste en transferir el patrón a la oblea en varias pasadas con el propósito de incrementar la resolución del proceso litográfico.
Su problema es que suele tener un impacto al alza en el coste de los chips y a la baja en la capacidad de producción. Para China es un gran problema no disponer de la tecnología necesaria para producir semiconductores de vanguardia equiparables a los que fabrican Intel, AMD o Qualcomm, entre otras compañías de alineación occidental. La gran esperanza del país liderado por Xi Jinping es tener lo antes posible sus propios equipos de fotolitografía UVE, y parece que están cerca. De hecho, una filtración ha desvelado que Huawei ya está probando un prototipo de una de estas máquinas. Si finalmente esta información se confirma y China tiene sus máquinas UVE comerciales en 2026 habrá dado un paso hacia delante crucial en su pulso con EEUU.
Imagen | HiSilicon
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